三星电子将于2022年上半年开始量产3纳米芯片

10月12日消息，据国外媒体报道，三星电子(Samsung Electronics)已正式宣布，将在台积电之前于2022年上半年开始生产3纳米半导体。

7日，三星电子宣布将在明年上半年开始使用环栅 （GAA） 技术为客户生产3纳米 (nm) 芯片设计。还表示将在2023年批量生产第二代3nm芯片，2025年批量生产2nm芯片。

据悉，与基于鳍式场效应晶体管 （FinFET） 的5纳米工艺相比，三星首个3纳米GAA工艺节点可将性能提升30%，将功耗降低50%，并将芯片面积减少35%。公司还计划将第三代GAA技术应用于2025年推出的2nm工艺。

如果按照三星电子的计划，它将成为全球第一家量产3纳米半导体的代工厂。另外，台积电计划继续将FinFET技术应用于3nm工艺，并从2nm工艺开始引进GAA技术。并将于10月14日召开电话会议，宣布其第三季度业绩。作为世界第一大代工企业，台积电很有可能对三星电子的第一波攻势做出回应。

而目前三星电子和台积电都在生产基于FinFet技术的5纳米芯片。三星电子之所以做出这个决定，可能是意识到自身与台积电的市场份额差距已经拉的很大，台积电在2021年第二季度占全球代工市场的58%，三星的份额为14%。