7月7日消息，据国外媒体报道，三星电子6月30日在官网宣布，他们采用全环绕栅极晶体管架构的3nm制程工艺，已在当日开始初步生产芯片，先于台积电采用3nm工艺代工晶圆。

目前距离三星电子宣布初步生产已有一周的时间，外媒在报道中，也给出了他们3nm制程工艺的更多信息。

外媒最新的报道显示，三星电子3nm制程工艺的首家客户，将是国内的一家专用集成电路应用公司，不过他们并未披露公司的具体名称。

外媒在报道中还提到，作为三星电子晶圆代工最大客户的高通，也已经预订了3nm工艺的产能。消息人士透露，根据两家公司达成的协议，高通是随时都可以要求三星采用这一工艺为他们代工芯片。

不同于7nm、5nm等工艺所采用的鳍式场效应晶体管（FinFET）架构，三星电子的3nm制程工艺，是率先采用全环绕栅极晶体管架构。三星电子在官网上表示，同5nm工艺相比，他们的第一代3nm制程工艺所代工的芯片，功耗降低45%，性能提升23%，芯片面积减少16%。

三星电子在晶圆代工领域的竞争对手台积电，目前也在推进3nm工艺的量产事宜，他们是计划在今年下半年量产，他们的3nm工艺，仍继续采用鳍式场效应晶体管架构。